甬矽半导体申请一种封装结构及其制备方法专利，转接层的设置可以有效增加芯片的堆叠数量并降低芯片的打线跨度
创始人
2026-06-19 05:57:21
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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN122121726A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请提供一种封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域。该封装结构包括：基板、依次层叠设置在基板上的第一WB芯片、第一FC芯片和转接层，转接层上设有多个第二FC芯片，每个第二FC芯片上均设有第二WB芯片，转接层的表面积大于第一FC芯片的表面积，第一WB芯片分别与基板和第一FC芯片电连接，转接层分别与基板、第一FC芯片、第二FC芯片和第二WB芯片电连接。该封装结构在第一FC芯片上增加了转接层，转接层的表面积大于第一FC芯片的表面积，转接层的设置可以有效增加芯片的堆叠数量并降低芯片的打线跨度。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目33次，专利信息264条，此外企业还拥有行政许可20个。
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来源：市场资讯
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