长江存储申请三维存储器器件及其形成方法专利，非导电层使接触结构与半导体层电绝缘
创始人
2026-01-15 13:36:24
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器器件及其形成方法”的专利，公开号CN121335099A，申请日期为2021年8月。
专利摘要显示，在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构和与第一半导体结构键合的第二半导体结构。第一半导体结构包括NAND存储器串的阵列、与NAND存储器串的阵列的源极端接触的半导体层、与半导体层对准的非导电层、以及非导电层中的接触结构。非导电层使接触结构与半导体层电绝缘。第二半导体结构包括晶体管。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1440次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。
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来源：市场资讯
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