芯塔电子申请SiC外延不均匀性补偿方法专利，使器件阻断电压、导通电阻等核心性能的全片均匀性显著优化_电子电器

芯塔电子申请SiC外延不均匀性补偿方法专利，使器件阻断电压、导通电阻等核心性能的全片均匀性显著优化

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2026-01-15 08:38:31

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国家知识产权局信息显示，安徽芯塔电子科技有限公司申请一项名为“一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管”的专利，公开号CN121335423A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管，它包括以下步骤：步骤一，对SiC外延层进行全片扫描，获取外延层厚度与掺杂浓度的二维分布图，所述二维分布图反映外延层在晶圆不同区域的均匀性差异；步骤二，根据步骤一获取的二维分布图，将晶圆划分为至少两个补偿区域；步骤三，针对步骤二划分的每个补偿区域，分别设计对应的补偿参数；步骤四，基于步骤三生成的补偿参数，对晶圆不同补偿区域执行选择性工艺操作。本发明解决外延层“中心‑边缘”厚度与掺杂浓度差异问题，使器件阻断电压、导通电阻等核心性能的全片均匀性显著优化，避免边缘区域芯片性能不合格。

天眼查资料显示，安徽芯塔电子科技有限公司，成立于2020年，位于芜湖市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本942.0896万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽芯塔电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业步骤投资器件全片电子电阻补偿外延区域二维外延层 SiC 晶圆

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