华润微电子申请半导体器件及其制造方法专利，提高电容容量
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2026-01-15 07:10:57
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国家知识产权局信息显示，无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置”的专利，公开号CN121335418A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，方法包括：提供衬底，在衬底上形成有第一层间介电层；刻蚀第一层间介电层以形成沟槽；在沟槽的底部和侧壁形成第一极板层；形成覆盖第一极板层的铁电介质层；形成覆盖铁电介质层的第二极板层，第二极板层填充沟槽的剩余部分，第一极板层、铁电介质层和第二极板层构成铁电电容器。本发明方案中的铁电电容器包括水平方向的电容结构和竖直方向的电容结构，能够在竖直方向增加电容器面积，进而能够提高电容容量，解决了铁电电容器面积无法进一步缩小的问题，进而使得存储器单元结构的水平面积能够进一步缩小，提高了器件的集成度和性能；同时，进一步缩小的存储器单元也能够很好地兼容铜制程工艺。
天眼查资料显示，无锡华润微电子有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本57000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2665次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可189个。
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来源：市场资讯
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