普兴电子申请进气装置及碳化硅外延生长结构专利，延长碳化硅外延连续生产周期_电子电器

普兴电子申请进气装置及碳化硅外延生长结构专利，延长碳化硅外延连续生产周期

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2026-01-12 09:37:54

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国家知识产权局信息显示，河北普兴电子科技股份有限公司申请一项名为“进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法”的专利，公开号CN121295344A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法，属于半导体加工技术领域。利用进气装置中双进气阀、双孔道、互不相通的气体通路设计，实现生长气体与保护气体的物理隔离输送；再基于流量控制器和双进气阀，实现对生长气体与保护气体流量的精准调节，并且，将通保护气体的第二气体通路设置在通生长气体的第一气体通路的上方，使保护气体在后续碳化硅外延生长反应时在生长气体上方形成稳定屏障，阻挡生长气体向上扩散，减少因生长气体向上扩散所导致的副产物的产生，优化碳化硅外延生长，同时延长碳化硅外延连续生产周期。

天眼查资料显示，河北普兴电子科技股份有限公司，成立于2000年，位于石家庄市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本14450万人民币。通过天眼查大数据分析，河北普兴电子科技股份有限公司参与招投标项目268次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息84条，此外企业还拥有行政许可15个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

气体投资电子装置普兴外延保护碳化硅结构专利进气装置进气阀

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