谱析光晶申请鳍形增强型GaN HEMT器件结构专利，使器件能够承载更高的电流密度和功率密度_电子电器

谱析光晶申请鳍形增强型GaN HEMT器件结构专利，使器件能够承载更高的电流密度和功率密度

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2026-01-08 14:17:21

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国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种鳍形增强型GaN HEMT器件结构”的专利，公开号CN121285006A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了一种鳍形增强型GaNHEMT器件结构，包括若干个相互并列的鳍形结构，所述鳍形结构从下向上依次包括有衬底、缓冲层、氮化镓通道层以及铝镓氮势垒层；其中，所述衬底包括底层和鳍层，所述鳍层位于底层的竖直方向，并且每个所述鳍形结构中的鳍层相互平行；所述鳍形结构中间区域且位于铝镓氮势垒层的上表面沉积有P型氮化镓层。本发明通过引入三维鳍形结构，将传统平面器件的导电沟道在垂直方向进行拓展，从而在不增大芯片布局面积的前提下，显著增加了有效栅宽和导电通道面积，从而使得器件能够承载更高的电流密度和功率密度，有效克服了传统二维GaNHEMT器件因面积过大导致的成本高、良率低的发展瓶颈。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目22次，专利信息192条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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