南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利，降低半导体结构的RC值
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2026-01-07 20:08:26
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121284952A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供半导体结构，半导体结构包括设置在基板上的金属层、设置在金属层上的第一介电层、设置在第一介电层上的第二介电层、设置于金属层上且位于第一介电层的金属层及第二介电层中的多个电容器、及设置于金属层上且位于第一介电层、第二介电层及第一绝缘层中的触点。触点的顶表面与第一绝缘层的顶表面共平面。此外，本发明也揭露一种制造半导体结构的方法。本发明提供一种在基板上一步形成触点的半导体结构及其制造方法，以使触点上没有其他触点的干扰，进而降低半导体结构的RC值。
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来源：市场资讯
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