华力微电子申请图像传感器及其制造方法专利，能增加光子探测效率
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2026-01-03 14:36:34
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国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN121262908A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器的单元结构，包括：半导体衬底。光电转换二极管，形成于半导体衬底中。在半导体衬底的背面区域中形成有一个以上的凹槽，凹槽的剖面呈顶点朝下的三角形或者呈倒梯形。在凹槽中填充有第一介质层，第一介质层的折射率小于半导体衬底的折射率。由填充于凹槽中的第一介质层组成光程增加结构，用于增加背面入射光的有效光程。凹槽的侧面沿半导体衬底的第一晶面，第一晶面为半导体衬底的各向异性刻蚀的停止面。本发明还公开了了一种图像传感器的制造方法。本发明能增加背面入射光的有效光程，从而能增加光子探测效率，特别是对近红外波光子的探测效率，工艺结构简单，能很好的适用于SPAD传感器。
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来源：市场资讯
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