比亚迪半导体申请半导体器件终端结构专利，提升终端结构的效率_电子电器

比亚迪半导体申请半导体器件终端结构专利，提升终端结构的效率

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2026-01-03 11:08:47

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国家知识产权局信息显示，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆”的专利，公开号CN121262867A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件、功率模块、电力电子器件和车辆，半导体器件的终端结构，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，外延层在第一方向上位于衬底上；以及场限环结构，场限环结构在第一方向上位于外延层中，场限环结构环绕有源区设置，场限环结构包括第二导电类型的第一阱区，第一阱区内设有多个第一导电类型的掺杂区，多个第一导电类型的掺杂区沿与第一方向垂直的第二方向间隔排布。该半导体器件的终端结构，能够改善表面掺杂和表面电场分布、降低电场峰值和漏电，提升终端结构的效率，进而能够在较小终端结构的尺寸下保持高耐压。

天眼查资料显示，比亚迪半导体股份有限公司，成立于2004年，位于深圳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本45621.8756万人民币。通过天眼查大数据分析，比亚迪半导体股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目511次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息1474条，此外企业还拥有行政许可109个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示电子器件导电投资终端比亚迪导体结构专利掺杂区器件半导体场限

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