江苏东海半导体申请亚微米的微沟槽IGBT专利，实现低损耗、高可靠性与宽适配性的技术效果_电子电器

江苏东海半导体申请亚微米的微沟槽IGBT专利，实现低损耗、高可靠性与宽适配性的技术效果

创始人

2026-01-02 19:08:59

0次

国家知识产权局信息显示，江苏东海半导体股份有限公司申请一项名为“一种亚微米的微沟槽IGBT”的专利，公开号CN121262842A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种亚微米的微沟槽IGBT，属于功率半导体器件技术领域，包括衬底、若干沟槽和接触组件；包括Gate沟槽和虚拟沟槽，所述Gate沟槽与虚拟沟槽之间通过氧化层与衬底隔绝，且所述Gate沟槽采用多沟槽并联且非全沟道的结构，所述非全沟道为并联结构中两外侧Gate沟槽旁仅具有的单侧沟道且两单侧沟道之间左右对称设置；所述接触组件由接触孔和重掺杂组成，所述接触组件设置于Gate沟槽并联结构的两外侧，两外侧所述接触组件之间左右对称设置，本发明具备多Gate并联降寄生电阻，非全沟道优化电流减损耗的同时降低电流密度；外侧接触组件降接触电阻抗闩锁，虚拟沟槽确保低饱和压降，还兼容微米级结构，实现低损耗、高可靠性与宽适配性的技术效果。

天眼查资料显示，江苏东海半导体股份有限公司，成立于2004年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8150万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏东海半导体股份有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息231条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

低损耗东海技术沟槽半导体 Gate 江苏组件专利高可靠性非全沟道微沟槽

上一篇：瑞昱半导体取得电压调节装置专利

下一篇：航天润博取得新型两轴四框架结构和光电吊舱专利，实现电机小型化及吊舱核心区域空间释放

江苏东海半导体申请亚微米的微沟槽IGBT专利，实现低损耗、高可靠性与宽适配性的技术效果

相关内容

热门资讯