安建科技申请沟槽型场效应管半导体器件及其制造方法专利，具有更低的导通电阻
创始人
2026-05-12 21:48:17
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国家知识产权局信息显示，安建科技（深圳）有限公司申请一项名为“沟槽型场效应管半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122028476A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，沟槽型场效应管半导体器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明提供的技术方案通过在第一导电型半导体上表面、第一类沟槽之间设置一系列沿Z方向非连续延伸的第二类沟槽，第二类沟槽的上表面形成有凹槽，上表面金属向下填充到所述的凹槽内，第二类沟槽内设有第二类屏蔽栅电极；第一导电型半导体上表面的沟槽之间还设有第一导电型重掺杂源区，第一导电型重掺杂源区下方设有第二导电型掺杂体区，所述的第二导电型掺杂体区和凹槽下部外侧壁之间还设有第二导电型接触重掺杂区。比起已有器件结构，能够实现更大的沟槽密度，具有更低的导通电阻和更好的开关阈值均匀性，并具有较大安全工作区域范围，以及器件可靠性。
天眼查资料显示，安建科技（深圳）有限公司，成立于2019年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，安建科技（深圳）有限公司财产线索方面有商标信息4条，专利信息47条，此外企业还拥有行政许可10个。
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来源：市场资讯
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