美新半导体申请磁传感器及其正交误差补偿方法专利，可补偿正交误差角度导致的误差_电子电器

美新半导体申请磁传感器及其正交误差补偿方法专利，可补偿正交误差角度导致的误差

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2025-12-31 13:07:29

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国家知识产权局信息显示，美新半导体（无锡）有限公司申请一项名为“磁传感器以及其正交误差补偿方法”的专利，公开号CN121230770A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种磁传感器及其正交误差补偿方法，其包括：第一磁传感单元和第二磁传感单元，其中第一磁传感单元和第二磁传感单元的放置夹角为90°±β，其中β为正交误差角度，第一磁传感单元感应得到第一磁传感信号，第二磁传感单元感应得到第二磁传感信号；正交误差补偿单元，其根据正交误差角度β、第一磁传感信号对第二磁传感信号进行补偿得到第二磁传感补偿信号。这样，可以补偿所述正交误差角度β导致的误差。

天眼查资料显示，美新半导体（无锡）有限公司，成立于1999年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1750万美元。通过天眼查大数据分析，美新半导体（无锡）有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息216条，此外企业还拥有行政许可25个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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