来源：新浪证券-红岸工作室

12月30日消息，国家知识产权局信息显示，江苏捷捷微电子股份有限公司申请一项名为“光电耦合器件封装壳体”的专利，授权公告号CN309709457S，授权公告日为2025年12月30日。申请号为CN202530325322.2，申请公布日期为2025年12月30日，申请日期为2025年6月6日，发明人张正荣、王攀杰、王浏浏、梁玉清，专利代理机构江苏南通启海专利商标代理事务所（普通合伙），专利代理师张佳宇，分类号13-02(15)。

专利摘要显示，1.本外观设计产品的名称：光电耦合器件封装壳体。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于封装光电耦合器件的壳体。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。

捷捷微电成立于1995年3月29日，于2017年3月14日在深圳证券交易所上市，注册地和办公地均为江苏省启东市。公司是国内功率半导体器件领域的重要企业，专注功率半导体分立器件，技术实力强，产品性价比高。

捷捷微电主营业务为功率半导体分立器件的研发、设计、生产和销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，概念板块包含中盘、融资融券、中芯国际概念。

2025年三季度，捷捷微电实现营业收入25.02亿元，在行业18家公司中排名第5，行业第一名闻泰科技为297.69亿元，第二名士兰微为97.13亿元，行业平均数为33.04亿元，中位数为9.73亿元。净利润达3.45亿元，行业排名第4，第一名闻泰科技为15.05亿元，第二名扬杰科技为9.65亿元，行业平均数为2.23亿元，中位数为6471.38万元。

江苏捷捷微电子股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种新型钝化结构的台面可控硅及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511038229.92025-07-28CN120565509A2025-08-29彭鑫葆、唐椿琛、牟佳伟2一种晶圆键合强度表征方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202511038292.22025-07-28CN120542337B2025-09-30陈英杰3基于非线性半导体温控特性的可控硅自适应节能触发电路及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202510755341.82025-06-06CN120729272A2025-09-30唐椿琛4光电耦合器件封装壳体外观专利授权CN202530325322.22025-06-06CN309709457S2025-12-30张正荣、王攀杰、王浏浏、梁玉清5Stoll封装的MOS管温度测试结构及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510729760.42025-06-03CN120261410B2025-08-12李小建、杨芹、侯辉、沈慧慧、王欣宇6Stoll封装的MOS管温度测试结构及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510729760.42025-06-03CN120261410B2025-08-12李小建、杨芹、侯辉、沈慧慧、王欣宇7检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510679455.92025-05-26CN120195527B2025-08-15梁玉清、张正荣、颜呈祥8检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510679455.92025-05-26CN120195527B2025-08-15梁玉清、张正荣、颜呈祥9一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510519757.X2025-04-24CN120035191B2025-07-22陈英杰、彭鑫葆10一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510518737.02025-04-24CN120035205B2025-06-24陈英杰、唐椿琛11一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510518737.02025-04-24CN120035205B2025-06-24陈英杰、唐椿琛12一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510519757.X2025-04-24CN120035191B2025-07-22陈英杰、彭鑫葆13一种台面可控硅玻璃钝化层的上粉方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510480780.22025-04-16CN120280356A2025-07-08唐椿琛、彭鑫葆、牟佳伟14功率器件封装外壳外观专利授权CN202530150281.82025-03-25CN309622171S2025-11-21张正荣、王浏浏、颜呈祥15功率半导体分立器件（MOSFET-散热款）外观专利授权CN202430834629.02024-12-30CN309505115S2025-09-19刘春森16一种适用多款MOS芯片封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411702811.62024-11-26CN119480838A2025-02-18刘春森、徐洋、庄肇嵘、周夏楠17一种适用多款MOS芯片封装结构实用新型授权CN202422894383.32024-11-26CN223462224U2025-10-21刘春森、徐洋、庄肇嵘、周夏楠18一种改善芯片受热及应力的铜引线片封装结构实用新型授权CN202422888296.72024-11-26CN223462221U2025-10-21周夏楠、徐洋、庄肇嵘、刘春森19带交流过零检测功能的可控硅驱动芯片及应用电路实用新型授权CN202422258286.52024-09-14CN223218996U2025-08-12张正荣20一种混合栅IGBT结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411034963.32024-07-31CN118969828A2024-11-15黄健、叶士杰、陈宏、郭亚楠、刘洋、刁绅、皮彬彬21一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法发明专利授权CN202411034975.62024-07-31CN118969829B2025-12-26黄健、叶士杰、陈宏、郭亚楠、刘洋、刁绅、皮彬彬22一种抑制短路电流丝失效的IGBT结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411020359.52024-07-29CN118969826A2024-11-15黄健、郭亚楠、陈宏、叶士杰、刘洋、刁绅、皮彬彬23一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411013548.X2024-07-26CN118969825A2024-11-15黄健、叶士杰、陈宏、郭亚楠、刘洋、刁绅、皮彬彬24一种BMS用MOS管的保护电路实用新型授权CN202421736757.22024-07-22CN222884347U2025-05-16李立25一种智能IPM电压保护方法及系统发明专利公布CN202410838337.32024-06-26CN118763599A2024-10-11刘洋、陈宏、黄健、刁绅、皮彬彬、郭亚楠、叶士杰26基于555定时器组成的重复雪崩能量测试电路及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202410743122.32024-06-11CN118707277A2024-09-27李小建、张正荣、杨芹27基于555定时器组成的重复雪崩能量测试电路及系统实用新型授权CN202421328609.72024-06-11CN223166862U2025-07-29李小建、张正荣、杨芹28一种新型双通道输入控制光耦器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410665782.42024-05-27CN118534593A2024-08-23李小建、覃峰29一种新型双通道输入控制光耦器件实用新型授权、公布CN202421178979.72024-05-27CN222280899U2024-12-31李小建、覃峰30一种新型复合老化测试板实用新型授权CN202421171811.32024-05-27CN222838151U2025-05-06李小建、杨芹31一种横向结构的可控硅芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410350377.32024-03-26CN117954483B2024-06-14陈英杰、张翼、朱法扬32一种可以抑制Snapback现象的RC-IGBT结构发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202311854521.92023-12-29CN117766575A2024-03-26郭亚楠、陈宏、黄健、叶士杰、刘洋、刁绅、皮彬彬33一种安全的光伏组件关断方法及光伏系统发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202311865645.72023-12-29CN117810902A2024-04-02刘洋、陈宏、黄健、刁绅、皮彬彬、郭亚楠、叶士杰34一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311854553.92023-12-29CN117766576B2024-09-24郭亚楠、陈宏、黄健、叶士杰、刘洋、皮彬彬、刁绅35一种高精度的碳化硅模块温度保护方法及系统发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311816066.32023-12-27CN117784846B2024-07-30刘洋、陈宏、黄健、皮彬彬、刁绅、叶士杰、郭亚楠36一种电容可调的SGTIGBT结构及制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311772446.12023-12-21CN117712156B2024-07-02郭亚楠、陈宏、黄健、叶士杰、刘洋、刁绅、皮彬彬37一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311456948.32023-11-03CN117174747B2024-03-08朱法扬、俞荣荣、彭鑫葆38一种多功能的可控硅发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202311446010.32023-11-02CN117176126A2023-12-05张正荣、颜呈祥、朱法扬39一种集成式多路可控硅发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202311299267.02023-10-09CN117038653A2023-11-10张正荣、颜呈祥、朱法扬40一种硅胶垫块键合治具实用新型授权CN202322133419.12023-08-09CN220543838U2024-02-27李勤建、袁晨、晏长春、任文豪、陈剑41一种免清洗铝带劈刀实用新型授权CN202322133278.32023-08-09CN220856493U2024-04-26李勤建、袁晨、晏长春、任文豪、陈剑42一种从框架完整取料的多用途冲压治具实用新型授权CN202322090347.72023-08-04CN220426493U2024-02-02袁晨、晏长春、任文豪、李勤建、严巧成、周磊43一种半自动光学目检治具实用新型授权CN202321945206.22023-07-24CN220542807U2024-02-27袁晨、晏长春、严巧成、李勤建、陈旭、周磊44一种半导体测试程序自动化调用方法和系统发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310679092.X2023-06-09CN116737561A2023-09-12杨建、晏长春、任文豪、丁长锋、卢登辉45一种功率铜片产品塑封填充结构实用新型授权CN202321442904.02023-06-08CN220021105U2023-11-14梁光毅、宴长春、任文豪、徐和生、李兵、向晨46一种新型HTRB老化PCB测试板实用新型授权CN202321264788.82023-05-24CN220252101U2023-12-26李小建、杨芹、侯辉、钱凌峰、金星宇47一种制备阶梯形沟槽半导体器件的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211464587.22022-11-22CN115841989A2023-03-24张楠、黄健、孙闫涛、顾昀浦、宋跃桦、刘静、吴平丽48一种集成晶圆与芯片电子视图的云储存和标识追溯方法及系统发明专利授权、公布CN202211322672.52022-10-27CN115631167B2025-06-10袁晨、李勤建、陈金堂49一种晶闸管器件和晶闸管电路实用新型授权CN202222822206.52022-10-25CN218447919U2023-02-03周榕榕、张晓仪、龚雨桃50一种BMS保护时加速关断MOS管的电路实用新型专利申请权、专利权的转移、授权CN202222641337.32022-10-09CN218570210U2023-03-03李立、周祥瑞、杨长伟、王宏民

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