半导体
纳芯威取得功放电路及音频设备专利
国家知识产权局信息显示，深圳市纳芯威科技有限公司取得一项名为“一种功放电路及音频设备”的专利，授权公告号CN121308694B，申请日期为2025年12月。 ...
嘉善中正新能源取得开关电源电感线圈绕线装置专利，增加了装置的通用性
国家知识产权局信息显示，嘉善中正新能源科技有限公司取得一项名为“一种开关电源电感线圈加工用绕线装置”的专利，授权公告号CN224053012U，申请日期为202...
美光科技取得存储器电路系统及其形成方法专利
国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法”的专利，授权公告号CN115547379B，申请日期为2022年...
卡萨帝20年：嵌入式油烟机全国销量第一
烟机凸出不好看、厨房焕新又怕拆改麻烦，操碎了心……作为深耕高端家电 20 年的卡萨帝，早就把这些厨房痛点摸得透透的。眼下卡萨帝厨电品质焕新节正在火热进行中，凭借...
木林森电源取得电池储能系统专利，确保电池包不会出现过充或过放现象
国家知识产权局信息显示，中山市木林森电源有限公司取得一项名为“一种电池储能系统”的专利，授权公告号CN224053913U，申请日期为2025年2月。 专利摘要...
舍弗勒技术申请用于三相整流器的控制装置专利，实现更精确的电流采集与控制
国家知识产权局信息显示，舍弗勒技术股份两合公司申请一项名为“用于三相整流器的控制装置”的专利，公开号CN121753235A，申请日期为2024年11月。 专利...
真迈生物申请测序芯片及测序方法专利，大大缩减测序时间、试剂成本
国家知识产权局信息显示，深圳市真迈生物科技有限公司申请一项名为“芯片、形成测序文库簇的方法及测序方法”的专利，公开号CN121737856A，申请日期为2025...
专家解读：“香山”“如意”软硬协同深度适配 助力开源芯片规模化应用
中新网北京3月27日电 (记者 孙自法)“香山”开源高性能RISC-V(第五代精简指令集)处理器系统、“如意”RISC-V原生操作系统在2026中关村论坛年会R...
西门子申请电子开关元件的过压保护器专利，能够针对从第一功率接头流向第二功率接头的电流根据第一控制信号的值来接通或关断开关元件
国家知识产权局信息显示，西门子股份公司申请一项名为“电子开关元件的过压保护器”的专利，公开号CN121753257A，申请日期为2024年6月。 专利摘要显示，...
长鑫存储取得输入输出电路设计方法专利
国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“输入输出电路的设计方法、装置、设备及存储介质”的专利，授权公告号CN116306390B，申请日期为2...
纬迪实业取得抗击穿电容器专利，提高整体结构的稳定性
国家知识产权局信息显示，深圳市纬迪实业发展有限公司取得一项名为“一种抗击穿电容器”的专利，授权公告号CN224053020U，申请日期为2025年4月。 专利摘...
法拉电子(600563.SH)：公司没有配套华为手机
格隆汇3月27日丨法拉电子(600563.SH)在投资者互动平台表示，公司没有配套华为手机。
索尼取得电子设备和成像装置专利
国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司取得一项名为“电子设备和成像装置”的专利，授权公告号CN115486056B，申请日期为2021年3月。 声明：市...
同宇新材：产品最终主要应用于计算机、消费电子、汽车电子、通讯等领域
有投资者在互动平台向同宇新材提问：“董秘您好，贵公司招股书20页明确记载，公司采取直销模式，直接对接下游覆铜板生产厂家，深刻理解终端应用场景与电子树脂特性间关联...
意杰科技取得高压预充电阻器过载保护专利
国家知识产权局信息显示，广东意杰科技有限公司取得一项名为“具有过载保护装置的高压预充电阻器”的专利，授权公告号CN114823017B，申请日期为2022年5月...
英飞凌TDA22590降压栅极驱动器IC概述
TDA22590集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，该IC与控制和同步MOSFET一起嵌入一个4mm x 6mm的小封装中。该封装针对PCB布局...
联合汽车电子取得车辆继电器开关控制系统专利
国家知识产权局信息显示，联合汽车电子有限公司取得一项名为“一种车辆继电器的开关控制系统”的专利，授权公告号CN116729299B，申请日期为2023年6月。 ...
太仓强宇电子取得二极管引脚处理装置专利
国家知识产权局信息显示，太仓强宇电子有限公司取得一项名为“一种二极管生产用引脚处理装置”的专利，授权公告号CN120079789B，申请日期为2025年4月。 ...
爱思开海力士取得具有支撑图案的三维半导体装置专利
国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司取得一项名为“具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置”的专利，授权公告号CN114388521B，申请日...
长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，可以提高半导体结构的可靠性
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN121751628A，申请日期为2024年9月。 专...