燕东微电子取得沟槽栅MOSFET制造方法专利
创始人
2025-12-30 12:07:55
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国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司取得一项名为“沟槽栅MOSFET的制造方法”的专利，授权公告号CN114843191B，申请日期为2022年4月。
天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1073次，专利信息170条，此外企业还拥有行政许可113个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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