安华高申请具有变化的阈值电压特性的多栅极半导体装置专利，实现多栅极半导体装置阈值电压的变化
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2025-12-26 19:08:53
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国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司申请一项名为“具有变化的阈值电压特性的多栅极半导体装置”的专利，公开号CN121218647A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开涉及具有变化的阈值电压特性的多栅极半导体装置。一种具有变化的阈值电压的实例多栅极半导体装置包含：沟道；源极，其安置在所述沟道上；漏极，其安置在所述沟道上；第一栅极，其在所述沟道上安置在所述源极与所述漏极之间；及第二栅极，其在所述沟道上安置在所述第一栅极与所述漏极之间。所述第一栅极包含第一金属，且所述第二栅极包含第二金属，所述第二金属不同于所述第一金属。
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