兆驰半导体申请低工作电流密度绿光Micro-LED外延结构专利，显著提高P型半导体层的空穴注入效率_半导体

兆驰半导体申请低工作电流密度绿光Micro-LED外延结构专利，显著提高P型半导体层的空穴注入效率

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2025-12-26 12:38:07

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国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种低工作电流密度绿光Micro-LED外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN121218748A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种低工作电流密度绿光Micro‑LED外延结构及其制备方法。所述外延结构包括衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、P型半导体层；多量子阱发光层之上不设置电子阻挡层，且多量子阱发光层包括第一浅蓝光多量子阱层、第二蓝光多量子阱层、第三绿光多量子阱层、第四浅蓝光多量子阱层四个子层，第三绿光多量子阱层中In组分含量大于其它层，在低工作电流密度下，第三青光多量子阱层为主要发光单元，而且不设置电子阻挡层，可消除对空穴注入的阻挡作用，显著提高P型半导体层的空穴注入效率并改善多量子阱发光层区域电子空穴浓度的匹配度。

天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1594条，此外企业还拥有行政许可61个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业兆驰 Micro-LED 投资量子空穴外延导体工作专利光层阱层 P型

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