半导体高频器件产业迎来技术革新时代

当前，半导体芯片研发领域正面临前所未有的发展机遇与技术挑战。元器件自主可控能力不足、高频器件产业化技术瓶颈等问题日益凸显。特别是在高-duan半导体集成电路的材料、工艺、散热、小型化等关键技术方面，亟需专业的技术解决方案来突破发展瓶颈。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司依托重点实验室和微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，建立了覆盖MHz~500GHz频率范围的太赫兹在片小信号测试系统和太赫兹电路功率测试系统。该平台具备功放、低噪放等芯片功率特性测试能力，配备矢量网络分析仪、逻辑分析仪、频谱分析仪、示波器等精密仪器，有效解决了科研生产中缺乏品质、高质量测试能力的问题。

在半导体工艺加工方面，中电芯谷提供专业的工艺加工能力，支持芯片制造与研发阶段的定制化需求。同时，通过芯片共晶焊接机、球焊键合机、楔焊键合机等设备，可进行半导体芯片的筛检、装架、模块电路的组装及可靠性测试检验，形成完整的微组装服务体系。

突破性器件技术开发

中电芯谷在高频器件技术开发方面取得了进展。其大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发产品工作频率覆盖1GHz~300GHz，截止频率达到600GHz，完全国产自主可控，目前国内外尚无类似产品。这一技术突破有力推动了元器件的国产替代进程。

在太赫兹集成电路领域，定制化GaAs/InPSBD太赫兹集成电路芯片技术开发工作频段达到1.5THz，提供薄膜型SBD集成电路设计与加工，是目前主流技术解决方案，适用于高集成度太赫兹混频、倍频应用。

太赫兹放大器系列产品

太赫兹放大器系列芯片技术开发频率覆盖140GHz、220GHz、300GHz、340GHz，涉及驱放、功放、低噪放等多个产品类型，完全国产自主可控，满足了多频段太赫兹放大应用的需求。

多技术融合工艺服务

中电芯谷在异质集成工艺服务方面具备丰富的技术积累，提供晶圆键合（超高真空、表面活化、聚合物、热压、共晶等）、衬底减薄（Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等）、表面平坦化（亚纳米级精细抛光）等多项工艺，支持复杂异质集成结构的高精度制备。

材料创新与研发支撑

在先进集成材料制备和研发方面，中电芯谷提供单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆、厚膜/薄膜LiNbO3异质晶圆、绝缘体上AlGaAs晶圆、内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆、SionSiC/Diamond、GaNonSiC等特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发，推动新材料在集成电路领域的应用。

高性能光电器件开发

中电芯谷在光电器件及电路技术开发方面，提供定制化技术开发方案和工艺加工服务，研发光芯片、器件与模块，支撑通信网络、物联网发展。高性能宽带光电探测器技术开发提供40GHz/70GHz/100GHz宽带光电探测器芯片及封装件，可选PIN型或高饱和UTC型，满足高速光通信和微波光子雷达等应用需求。

全链条服务体系构建

务，配套区域公共服务，促进技术成果转化和企业快速成长。

公共技术服务平台已于2020年8月开始正式运营，现已服务企事业单位60余家，为企业、高校、科研院所的科研生产提供了重要技术支撑，有力地促进了电子信息技术相关行业的发展。

中电芯谷拥有强大的技术团队支撑，团队高级职称17人，博士学历16人。员工中本科以上学历占100%，近1/2为博士学历，1/2以上拥有高级技术职称。团队中包括享受特殊津贴专jia1人、新世纪百千万人才工程人选1人、江苏省"333人才培养工程"2人，为技术创新和产业发展提供了有力保障。

中电芯谷聚焦太赫兹技术、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件五大研究方向，致力成为以新材料为本，覆盖上下游业务领域的集成电路技术服务商，为实现三代半导体产业"换道超车"，助力中国智造贡献专业力量。"