
BC857BLT1G 是一种表面贴装式 PNP 晶体管,专为低功耗应用而设计,适合那些需要高灵敏度、低噪声和高增益的电路。其最大集电极电流 (Ic) 为 100mA,最大集射极击穿电压 (Vce) 为 45V,使其成为多种电子应用的理想选择。包装形式为 SOT-23-3 (TO-236),确保其在空间受限的电路板上具有良好的适应性。
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规格参数:
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
最大直流电集电极电流: 100 mA
集电极—发射极最大电压 VCEO: 45 V
集电极—基极电压 VCBO: 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 650 mV
Pd-功率耗散: 225 mW
增益带宽产品fT: 100 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BC857BL
集电极连续电流: - 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min: 220
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:3000
子类别: Transistors
宽度: 1.3 mm
单位重量: 30 mg
引脚图:
