全球存储芯片市场正经历一轮前所未有的涨价潮。自今年三季度以来,DRAM内存与NANDFlash闪存现货价格累计上涨超过300%。这一轮价格暴涨的核心推动力来自人工智能应用的快速发展。
AI基础设施建设需求激增,数据中心对高性能存储产品的消耗量呈指数级攀升。三星、SK海力士、美光等全球存储芯片三大主要原厂纷纷将产能优先分配给AI服务器相关产品。AI服务器对DRAM需求量约为普通服务器的8倍,对NANDFlash需求量约为普通服务器的3倍。
面对持续的成本上涨,终端厂商采取多样化应对策略。部分企业选择与供应商共担成本,推迟涨价时点至明年初。另一些厂商则通过调整产品配置来平衡成本,预计中端智能手机将放弃12GB内存配置,主推6GB、8GB版本。
集邦咨询预测,2026年存储器将步入强劲上行周期,导致整机成本上扬并冲击消费市场。预计2026年全球智能手机及笔电的生产出货量将分别年减2%及2.4%。这一轮由AI驱动的存储芯片短缺,正在重塑全球电子产业链的供需格局。
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来源:市场资讯