唯捷创芯申请多电源开关电路专利，避免PMOS开关管因压差组合异常导通造成漏电_半导体

唯捷创芯申请多电源开关电路专利，避免PMOS开关管因压差组合异常导通造成漏电

创始人

2025-12-09 21:12:39

0次

国家知识产权局信息显示，唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司申请一项名为“一种多电源开关电路”的专利，公开号CN121098300A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种多电源开关电路，应用于电子电路技术领域。在本发明中，一方面，利用第一高电位选择单元和第二高电位选择单元对电源电压、第一电压和第二电压进行两两比较，进而从三个电压中快速、简洁、准确的选出最大电压；另一方面，利用选出的最大电压连接到第一开关电路和第二开关电路中PMOS开关管的体区，以为其提供电压偏置，进而达到避免PMOS开关管的寄生PN结和沟道由于各压差组合导致异常导通而造成漏电的问题；而后还通过在PMOS开关管的体区和接入的最大电压之间设置限流电阻的方式，避免当第一电压和第二电压存在大压差切换时最终选出的最大电压被拉低而导致漏电的问题。

天眼查资料显示，唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于天津市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本41831.6914万。通过天眼查大数据分析，唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息55条，专利信息225条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示唯捷投资电路天津开关电压创芯专利体区

上一篇：腾宇光电取得拾音器本体上锡后检测机构专利，提高检测效率

下一篇：苏试试验：提供芯片全产业链分析验证服务

唯捷创芯申请多电源开关电路专利，避免PMOS开关管因压差组合异常导通造成漏电

相关内容

热门资讯