湖南三安半导体取得半导体器件专利，提高产品的兼容性_半导体

湖南三安半导体取得半导体器件专利，提高产品的兼容性

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2025-12-08 19:07:15

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国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN223639613U，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本申请提供的半导体器件中，包括衬底、半导体外延层以及若干半导体元胞单元；半导体外延层设置于衬底的一表面；若干半导体元胞单元设置于半导体外延层中；其中，半导体外延层还具有位于相邻两个半导体元胞单元之间的第一沟槽，第一沟槽从半导体外延层背离衬底的表面沿着第一方向延伸；第一沟槽的槽壁上形成有掩蔽层，且掩蔽层具有第二沟槽，第二沟槽内还填充有填充物。具体的，本申请提供的半导体器件，通过设计掩蔽层具有第二沟槽，以此，针对不同应用场景，可以不改变用于容置掩蔽层的第一沟槽的设计尺寸，而仅改变第二沟槽的尺寸，从而保证掩蔽层的离子掺杂总量满足要求，以此实现在同一个工艺平台上制造掩蔽层的效果，提高产品的兼容性。

天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目61次，专利信息422条，此外企业还拥有行政许可145个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资沟槽掩蔽外延导体湖南查大专利元胞器件半导体衬底

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