芯恩申请调节MOS晶体管阈值电压的方法专利，可用于优化调节MOS晶体管的阈值电压_半导体

芯恩申请调节MOS晶体管阈值电压的方法专利，可用于优化调节MOS晶体管的阈值电压

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2025-12-05 13:07:32

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国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“调节MOS晶体管的阈值电压的方法”的专利，公开号CN 121057267 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明提供了一种调节MOS晶体管的阈值电压的方法，所述方法包括提供衬底，所述衬底包括第一沟道、第二沟道、第一氧化层及第二氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一沟道表面，所述第二氧化层覆盖所述第二沟道表面；对所述第一氧化层执行第一粒子辐照，在所述第一氧化层中形成若干电子陷阱；对所述第二氧化层执行第二粒子辐照，在所述第二氧化层中形成若干空穴陷阱；对所述衬底执行电磁波辐照，使所述衬底中的电子跃迁并被所述电子陷阱俘获，及使所述衬底中的空穴跃迁并被所述空穴陷阱俘获本申请可用于优化调节MOS晶体管的阈值电压。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目190次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息873条，此外企业还拥有行政许可56个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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