富芯半导体取得LDMOS制备方法及器件专利
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2026-04-11 22:38:07
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国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司取得一项名为“LDMOS的制备方法、LDMOS器件及光刻用掩膜版”的专利，授权公告号CN121174550B，申请日期为2025年11月。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息365条，此外企业还拥有行政许可27个。
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来源：市场资讯
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