华虹半导体申请终端结构的制备方法专利，提高了器件的耐压能力和可靠性
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、华虹半导体制造（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“终端结构的制备方法”的专利，公开号CN122742432A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种终端结构的制备方法，包括：在半导体衬底的终端区刻蚀形成终端沟槽；对终端沟槽进行第一导电类型注入及退火，形成场限环；在终端沟槽内填充介质层；步骤四、去除表面多余的介质层。本发明通过在半导体平面以下制备终端沟槽并注入形成场限环，增加了场限环的有效结深，使环底部的电场峰值远离表面，减少了对表面电场的影响，提高了器件的耐压能力和可靠性。该方法不影响后续超结工艺制备，且不显著增加热预算，适用于超陡结器件的制造。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2952次，专利信息2165条，此外企业还拥有行政许可119个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息281条，此外企业还拥有行政许可234个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目947次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7948条，此外企业还拥有行政许可465个。
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来源：市场资讯