华虹半导体申请晶片的预清洗方法专利，改善了器件的饱和漏电流_半导体

华虹半导体申请晶片的预清洗方法专利，改善了器件的饱和漏电流

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2026-09-12 19:23:01

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“晶片的预清洗方法”的专利，公开号CN122742650A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请公开了一种晶片的预清洗方法，包括：将晶片传送至清洗机台的清洗槽中，使用包含SPM的清洗溶液对晶片进行第一清洗，晶片上形成有原生氧化物层，SPM包括硫酸和双氧水，在第一清洗后，在晶片的表面形成有保护层；将晶片传送至ONB机台的清洗槽中，使用包含氢氧化铵和臭氧的清洗溶液进行第二清洗，在第二清洗的过程中，保护层用于降低晶片的表面被刻蚀形成粗糙缺陷的几率，在第二清洗后，晶片表面的杂质被去除；将晶片传送至干燥机台进行干燥处理。本申请能够改善半导体器件在硅‑二氧化硅界面的粗糙度，降低了载流子的粗糙度散射，进而提升了沟道的载流子迁移率，改善了器件的饱和漏电流，提高了其电学性能。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2952次，专利信息2165条，此外企业还拥有行政许可119个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息281条，此外企业还拥有行政许可234个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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