国家知识产权局信息显示,日月光半导体制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置和其制造方法”的专利,公开号CN122719456A,申请日期为2020年7月。
专利摘要显示,提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含天线区和绕线区。所述绕线区安置于所述天线区上,其中所述天线区包含第一绝缘层和两个或更多个第二绝缘层,且所述第一绝缘层的厚度不同于所述第二绝缘层的厚度。
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来源:市场资讯
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