日月光申请半导体装置和其制造方法专利,天线区包含厚度不同的绝缘层
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2026-09-08 11:20:38
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国家知识产权局信息显示,日月光半导体制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置和其制造方法”的专利,公开号CN122719456A,申请日期为2020年7月。

专利摘要显示,提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含天线区和绕线区。所述绕线区安置于所述天线区上,其中所述天线区包含第一绝缘层和两个或更多个第二绝缘层,且所述第一绝缘层的厚度不同于所述第二绝缘层的厚度。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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