新微半导体申请高电子迁移率晶体管器件结构及其制备方法专利，降低金属和器件结构层间的界面接触电阻_半导体

新微半导体申请高电子迁移率晶体管器件结构及其制备方法专利，降低金属和器件结构层间的界面接触电阻

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2026-09-05 15:25:11

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国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“一种高电子迁移率晶体管器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN122699335A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种高电子迁移率晶体管器件结构及其制备方法，该方法首先提供一至少包括自下而上依次层叠的沟道层和势垒层的器件结构层，器件结构层包括沿X方向依次间隔设置的源区、栅区和漏区，于器件结构层的上表面形成图案化的遮蔽层，遮蔽层中具有位于源区正上方的第一槽和位于漏区正上方的第二槽，第一槽的槽底与源区之间具有预设厚度的遮蔽层，第二槽的槽底与漏区之间具有预设厚度的遮蔽层，基于第一槽和第二槽，形成n型掺杂区并对n型掺杂区进行退火处理，通过形成位于n型掺杂区上表层的Ge掺杂区，降低金属和器件结构层间的界面接触电阻，增大n型掺杂区的注入工艺窗口、提高器件可靠性。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目862次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息176条，此外企业还拥有行政许可98个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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