国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“非易失性存储器及其编程方法”的专利,公开号CN122696068A,申请日期为2025年3月。
专利摘要显示,本发明提供一种非易失性存储器及其编程方法。非易失性存储器可为具备高容量及高性能的三维NAND闪存。非易失性存储器包括存储单元阵列以及控制电路。在对当前字线的多个存储单元进行编程的编程期间,控制电路读取相邻于当前字线的至少一个邻近字线的至少一个阈值电压。控制电路检查所述至少一个邻近字线的所述至少一个阈值电压来产生检查结果。根据检查结果,控制电路调整在编程期间中用于验证当前字线的编程验证电压。
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