国家知识产权局信息显示,芯曜鑫技术(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法、半导体结构及微凸块”的专利,公开号CN122679938A,申请日期为2026年8月。
专利摘要显示,本公开是关于一种半导体结构的制作方法、半导体结构及微凸块,涉及半导体技术领域,制作方法包括:第一焊盘和第二焊盘之间包括高温焊料层和低温焊料层,高温焊料层与第一焊盘和/或第二焊盘相接触,低温焊料层的熔点小于高温焊料层的熔点;第一次键合处理,键合温度介于低温焊料层和高温焊料层的熔点之间,低温焊料层转化为第一连接部,第一焊盘和第二焊盘连接,第一连接部的熔点大于高温焊料层的熔点;第二次键合处理,键合温度介于高温焊料层的熔点和第一连接部的熔点之间,高温焊料层转化为第二连接部并与第一连接部构成连接结构,连接结构连接第一焊盘和第二焊盘。两次键合过程中均存在间距控制结构,防止因间距过小造成桥连。
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来源:市场资讯