国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利,公开号CN122662365A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本申请提供一种发光二极管及发光装置,发光二极管的衬底的背面设置一介质层,该介质层的折射率小于衬底的折射率,并且该介质层中形成有若干周期排列的凹陷结构,以及位于所述凹陷结构之间的平台结构,在衬底的背面所在的平面内投影,凹陷结构的投影面积与介质层的投影面积之比介于0.4~0.7。通过设计凹陷结构的投影面积比(占空比)的大小与周期,结合熵增最大原理,最大化空气与蓝宝石的界面混合密度,形成最佳的有效折射率梯度,最大程度地扰动入射光场。介质层设置为凹陷结构和平台结构,有助于增加背面出光的表面积。进一步地,还可以通过设置凹陷结构的侧壁倾斜,有效改变光线的入射角,让原本锁在内部的光线直接萃取,提高发光二极管的出光效率。
天眼查资料显示,泉州三安半导体科技有限公司,成立于2017年,位于泉州市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析,泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目60次,专利信息681条,此外企业还拥有行政许可417个。
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来源:市场资讯