国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体封装结构及半导体封装结构的制备方法”的专利,公开号CN122662693A,申请日期为2026年5月。
专利摘要显示,本申请公开了一种半导体封装结构及半导体封装结构的制备方法,包括:引线框架,引线框架设置有连接点,其中,连接点设置有凹槽,凹槽中设置有镀银层;引线结构,引线结构延伸至凹槽中,并与凹槽中的镀银层接触,其中,通过引线结构将引线框架与芯片连接。本申请中,通过在引线框架上形成凹槽,并在凹槽中形成镀银层,使得引线结构延伸至凹槽中并与凹槽中的镀银层接触,进而使得镀银层和引线框架的表面不在同一平面,可以有效减小同一平面上封装层与引线框架的接触面积,也即增加了封装层与引线框架的整体接触面积,以增强摩擦力,进而减小镀银层和封装层的分层风险,提升半导体封装结构的稳定性。
天眼查资料显示,武汉新芯集成电路股份有限公司,成立于2006年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目239次,财产线索方面有商标信息68条,专利信息1898条,此外企业还拥有行政许可109个。
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来源:市场资讯