国家知识产权局信息显示,海普鲁姆股份有限公司申请一项名为“基于量子阱的光电子器件”的专利,公开号CN122662351A,申请日期为2026年2月。
专利摘要显示,本公开提供了一种基于量子阱的光电子器件。缓冲层被设置在衬底上方。第一导电型半导体层被定位在缓冲层上方,其中第一导电型半导体层包括第一掺杂层和第二低掺杂层。超晶格片被定位在低掺杂或未掺杂的半导体层上方,其中超晶格片包括半导体材料的交替层。量子阱结构被定位在超晶格片上方,其中量子阱结构包括至少一个量子阱层和至少一个势垒层。第一导电型电子阻挡膜被定位在量子阱结构上方。第二导电型半导体层被设置在第一导电型电子阻挡膜上方。第一接触层被设置在第二导电型半导体层上方。
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