浙江创芯集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能
创始人
2026-08-28 15:52:05
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国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122662657A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有外延层；在所述外延层上形成介电层，并在所述介电层内形成多个对准结构；在所述介电层和所述对准结构的上方形成金属层；在所述金属层上方形成开口掩膜层，所述开口掩膜层包括套刻标记开口区域，所述套刻标记开口区域位于部分所述对准结构的上方，并暴露覆盖所述对准结构上方的金属层；以所述开口掩膜层为掩膜，刻蚀去除所述套刻标记开口区域暴露的位于所述对准结构上方的金属层；去除所述开口掩膜层，形成覆盖所述金属层顶面和侧壁，且露出部分所述对准结构的保护层。所述形成方法能够通过优化工艺制程，提高工艺对准精度，从而提高半导体结构的性能。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目294次，财产线索方面有商标信息21条，专利信息678条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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