中广核京师光电科技申请硅光电倍增器专利，提高器件的响应均匀性和可靠性_半导体

中广核京师光电科技申请硅光电倍增器专利，提高器件的响应均匀性和可靠性

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2026-08-20 13:25:20

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国家知识产权局信息显示，中广核京师光电科技（天津）有限公司申请一项名为“一种硅光电倍增器”的专利，公开号CN122602618A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种硅光电倍增器，包括半导体衬底和位于其上的半导体外延层。多个微单元形成于外延层中且相互并联，每个微单元包括：第二掺杂区及第三掺杂区形成高场区，产生雪崩电信号；沟槽结构，围绕第二掺杂区外周设置；第三绝缘层，设置于沟槽内侧壁；导电材料，填充于沟槽内并通过第三绝缘层与外延层绝缘，且与衬底直接接触形成电连接；淬灭元件，与第二掺杂区串联；第一电极，通过淬灭元件与第二掺杂区电连接用于正面引出信号；第二电极，与导电材料电连接形成电学隔离边界并用于正面引出衬底电位。本发明使沟槽结构兼具光学和电学隔离功能，确保边缘微单元与内部微单元增益一致，同时提高边角击穿电压，提高了器件的响应均匀性和可靠性。

天眼查资料显示，中广核京师光电科技（天津）有限公司，成立于2023年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7937万人民币。通过天眼查大数据分析，中广核京师光电科技（天津）有限公司参与招投标项目140次，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示沟槽单元器件京师天津可靠性绝缘层专利掺杂区外延层衬底硅光电倍增器

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