长光正圆申请生成稳定金属-硅化物方法专利，提高势垒二极管反向击穿电压_半导体

长光正圆申请生成稳定金属-硅化物方法专利，提高势垒二极管反向击穿电压

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2026-04-07 19:01:11

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国家知识产权局信息显示，长春长光正圆微电子技术有限公司申请一项名为“一种生成稳定金属-硅化物的方法”的专利，公开号CN121815963A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明属于半导体器件制造技术领域，为了微观生成更稳定的金属化合物提供一种生成稳定金属‑硅化物的方法，将沉积金属层后的衬底置于快速热退火设备中，执行快速热退火，该过程至少包括预热阶段：控制设备中负责主加热的多个前部灯组，以额定功率的低功率值进行加热，将衬底从室温均匀加热至开始反应的预设起始温度；以及主反应阶段：当达到所述起始温度后，控制设备以预定的升温速率加热至峰值温度并进行保温，使金属与半导体充分反应生成金属‑硅化物，以提高势垒二极管的反向击穿电压。

天眼查资料显示，长春长光正圆微电子技术有限公司，成立于2022年，位于长春市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本130000万人民币。通过天眼查大数据分析，长春长光正圆微电子技术有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息14条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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