国家知识产权局信息显示,万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“用于垂直功率场效应晶体管低侧电流检测的双向电流监测方案”的专利,公开号CN122568081A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,一种用于功率级中配置为低侧功率开关的场效应晶体管(FET)的双向电流监测电路和方法,能够使用高于地电压的电压实现正电流检测和负电流检测。在一些实施例中,所述双向电流监测电路和方法通过使用与所述低侧功率 FET 大致并联连接的更小尺寸的检测 FET,测量流过功率级中低侧功率 FET 的电流。正电流检测通过将所述检测 FET 的检测节点偏置到地电压来实现,而负电流检测通过将所述检测 FET 的检测节点偏置到大于所述低侧功率 FET 的漏源电压的电压来实现。所检测的正电流和所检测的负电流被组合以提供监测电流输出信号。
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