青争科技申请低温烧结型纳米银与微米银复合导电银浆及其制备方法和应用专利，提高片式聚合物叠层铝电容器的制备良率
创始人
2025-11-28 10:37:32
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国家知识产权局信息显示，青争科技有限公司申请一项名为“一种低温烧结型纳米银与微米银复合导电银浆及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121034700A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本发明属于电子封装材料技术领域，具体公开了一种低温烧结型纳米银与微米银复合导电银浆及其制备方法和应用。该复合导电银浆包括：纳米银膏80~85%、微米银粉15~20%和功能助剂0.5~2%；其中，所述纳米银膏为固含量大于80wt%的纳米银膏。本发明将上述复合导电银浆用于片式聚合物叠层铝电容器，能够提高不同电容单片之间的连接紧密性，进而降低电容的等效串联电阻和漏电流，提高片式聚合物叠层铝电容器的制备良率。
天眼查资料显示，青争科技有限公司，成立于2021年，位于长沙市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，青争科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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