楚兴技术申请图像传感器及其制备方法专利，降低了图像传感器的厚度_半导体

楚兴技术申请图像传感器及其制备方法专利，降低了图像传感器的厚度

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2026-04-01 19:55:40

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国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种图像传感器及其制备方法”的专利，公开号CN121772363A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种图像传感器及其制备方法，涉及图像传感器技术领域，图像传感器包括：半导体衬底；设置在半导体衬底上的像素结构，像素结构包括多个子像素；设置在像素结构入光侧的彩膜层，彩膜层包括多个与子像素一一相对设置的彩膜单元；其中，彩膜单元包括第一部分，沿远离子像素的方向，第一部分的宽度逐渐降低，以使得第一部分具有聚光作用。本申请中，沿远离子像素的方向，第一部分的宽度逐渐降低，使得第一部分具有汇聚光线的作用。故图像传感器中可以将彩膜单元复用为子像素的微透镜，无需在图像传感器中制备微透镜，从而降低了图像传感器的厚度，简化了图像传感器的制备工艺以及制作成本，便于电子设备的轻薄化设计。

天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2074316.847826万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息121条，此外企业还拥有行政许可321个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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