德州仪器申请用于对EPROM位单元的源极-漏极电压准确地进行箝位的电路和方法专利，实现对EPROM位单元的源极-漏极电压准确地进行箝位_半导体

德州仪器申请用于对EPROM位单元的源极-漏极电压准确地进行箝位的电路和方法专利，实现对EPROM位单元的源极-漏极电压准确地进行箝位

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2026-03-30 20:59:59

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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“用于对EPROM位单元的源极-漏极电压准确地进行箝位的电路和方法”的专利，公开号CN121747664A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开涉及用于对EPROM位单元的源极‑漏极电压准确地进行箝位的电路和方法。一种半导体装置(100)包含耦合到位线(BL1)的单元晶体管(CT1)、耦合到所述位线(BL1)和偏置节点(BIASP)的偏置晶体管(MP1)，以及耦合于所述位线(BL1)与箝位节点(CLMP)之间的箝位晶体管(MC1)。存储器电路包含：耦合到相应位线(BL1‑BLn)的存储器单元晶体管(CT1‑CTn)的阵列；偏置晶体管(MP1)，其具有源极、漏极和栅极，每一偏置晶体管(MP1)的所述源极耦合到所述位线(BL1‑BLn)中的相应一个；偏置节点(108)，其耦合到所述偏置晶体管(MP1)的所述栅极；电流源(CS1)，其具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到所述偏置节点(108)，且所述第二端子耦合到参考节点(GND)；以及箝位晶体管(MC1)。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

用于对投资单元电路节点位线电压耦合晶体管专利端子箝位

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