复旦微电子申请存储单元及其形成方法、存储阵列专利，有效降低字线层电阻_半导体

复旦微电子申请存储单元及其形成方法、存储阵列专利，有效降低字线层电阻

创始人

2026-03-30 09:37:48

0次

国家知识产权局信息显示，上海复旦微电子集团股份有限公司申请一项名为“存储单元及其形成方法、存储阵列”的专利，公开号CN121751642A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种存储单元及其形成方法、存储阵列，其中存储单元包括：衬底；位于有源区上的第一浮栅结构和第二浮栅结构；位于有源区内的共源层、第一漏层和第二漏层；字线层，字线层覆盖第一浮栅结构和第二浮栅结构，字线层和有源区之间具有非直角的夹角；与第一漏层电连接的第一位线层；与第二漏层电连接的第二位线层。相邻的第一浮栅结构和第二浮栅结构共用1条字线层，使得字线层具有更大的形成空间，以此增大字线层的体积，进而有效降低字线层电阻。字线层的体积增大对第一浮栅结构和第二浮栅结构的控制能力增强，提升器件结构的耦合效应。存储单元仅改变连接方案，可以与目前已有的产线进行融合。沟道区域为倾斜状以其长度，改善短沟道效应。

天眼查资料显示，上海复旦微电子集团股份有限公司，成立于1998年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8214.273万人民币。通过天眼查大数据分析，上海复旦微电子集团股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目329次，财产线索方面有商标信息83条，专利信息424条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示字线投资上海复旦有源微电子结构专利有源区浮栅线层字线层漏层

上一篇：科博达披露总额6000万元的对外担保，被担保方为科博达（安徽）汽车电子有限公司

下一篇：金禄电子（301282）3月27日主力资金净买入87.17万元

复旦微电子申请存储单元及其形成方法、存储阵列专利，有效降低字线层电阻

相关内容

热门资讯