TDA22590集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC,该IC与控制和同步MOSFET一起嵌入一个4mm x 6mm的小封装中。该封装针对PCB布局、传热、驱动器/MosFET控制时序以及遵循布局指南时的最小开关节点振铃进行了优化。成对的栅极驱动器和MosFET组合能够在尖端CPU、GPU、FPGA和DDR存储器设计所需的较低输出电压下实现更高的效率。
与基于最佳控制器的电感器DCR感测以及MosFET Rdson电流感测方法相比,改进的MosFET电流镜电流输出感测实现了更高的电流感测精度。
保护包括IC温度报告和过温保护功能(带热关断的OtP)、逐周期过电流保护(OcP)、控制MOSFET短路检测(HSS-高压侧短路检测)、VDRV和自举欠压保护。TDA22590还具有自举电容的“刷新”功能,以防止自举电容过度放电。
TDA22590还支持“高级故障报告”,在多相降压转换器中,该功能使控制器能够识别故障相位和故障类型。
高达2 MHz的开关频率可实现高性能瞬态响应,使输出电感器以及输入和输出电容器小型化。
引脚配置图
仅供选型参考o