应能微申请屏蔽栅沟槽功率MOSFET专利，提高器件击穿电压_半导体

应能微申请屏蔽栅沟槽功率MOSFET专利，提高器件击穿电压

创始人

2026-03-26 16:34:19

0次

国家知识产权局信息显示，江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法”的专利，公开号CN121728802A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法，包括：第一外延层、若干沟槽结构、第一掺杂区、第二外延层、第二掺杂区、介电层、金属层和至少两个第三掺杂区，其中，沟槽结构排列分布在第一外延层内；第一掺杂区位于相邻沟槽结构之间的第一外延层内，且第一掺杂区两侧与沟槽结构外侧面接触；第二外延层位于第一掺杂区内，且第二外延层底面与第一外延层上表面接触；第二掺杂区位于第一掺杂区上表面，至少两个第三掺杂区从上至下排列设置在第二外延层正下方的第一外延层内，且位于相邻沟槽结构的中间位置。本发明通过在传统的两沟槽结构之间的第一外延层引入两个额外的第三掺杂区，可将中间段的电场进一步做拉升以提高器件的击穿电压。

天眼查资料显示，江苏应能微电子股份有限公司，成立于2012年，位于常州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本4286.5339万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示功率投资沟槽器件外延微电子结构专利掺杂区栅沟槽天眼

上一篇：国内首台90纳米及以上掩模图形缺陷检测设备问世，御微半导体发布Raptor-500

下一篇：良信电器申请一种断路器专利，使得断路器承载更大的额定电流

应能微申请屏蔽栅沟槽功率MOSFET专利，提高器件击穿电压

相关内容

热门资讯