珠海楠欣半导体申请多电源域芯片上电控制方法专利，能够降低芯片功耗_半导体

珠海楠欣半导体申请多电源域芯片上电控制方法专利，能够降低芯片功耗

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2026-03-25 04:40:15

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国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“多电源域芯片及其上电控制方法和上电自检电路”的专利，公开号CN121704677A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本公开提供了一种多电源域芯片及其上电控制方法和上电自检电路，该方法包括：当第一供电电路的输入电压上升至大于预设电压时，基于TRIM数据的读取进度控制第二电源域上电，在第二电源域上电完成后，控制目标引脚的电平翻转预设时长，以使控制芯片获取多电源域芯片的上电状态，基于目标引脚的电平是否翻转，检测多电源域芯片上电自检的完成情况，当多电源域芯片完成上电自检时，控制第二电源域下电，以使多电源域芯片进入低功耗模式。该方法使得多电源域芯片可以在上电完成且自检成功后进入低功耗模式，能够降低芯片功耗，还可以向控制芯片主动反馈上电状态，能够向控制芯片提供准确地上电状态。

天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息268条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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