鹏芯微申请半导体器件及其制造方法专利，提升器件开关速度_半导体

鹏芯微申请半导体器件及其制造方法专利，提升器件开关速度

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2026-03-25 04:27:03

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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121728790A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体结构，其中，半导体结构包括衬底、位于衬底上的鳍片、位于衬底上且与鳍片相交的伪栅结构、以及覆盖衬底和鳍片的介质层，介质层的上表面与伪栅结构的顶表面齐平；去除伪栅结构，以形成位于介质层中的栅极沟槽，栅极沟槽露出所述鳍片；通过栅极沟槽对所述鳍片进行掺杂，以使鳍片中含有掺杂离子；在栅极沟槽中形成金属栅极结构。本申请去除伪栅结构后，先在栅极沟槽内对鳍片进行掺杂，然后在掺杂后的鳍片上方再形成金属栅极结构，通过对鳍片进行掺杂，改变了启动电阻，从而达到提升器件开关速度以及减小器件功耗的目的。

天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可215个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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