国家知识产权局信息显示,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利,公开号CN121692686A,申请日期为2024年9月。
专利摘要显示,本发明涉及一种半导体器件及其形成方法。该形成方法中,在包括多晶硅栅极、第一侧墙及源/漏区的半导体结构上依次形成第二侧墙材料层和牺牲材料层,先进行平坦化工艺再刻蚀,使多晶硅栅极顶部形成倒U形暴露面,第一侧墙高度降低形成第一矮侧墙,之后刻蚀第二侧墙材料层形成第二矮侧墙并从外侧暴露出第一源/漏区和第二源/漏区,在进行金属硅化工艺时,在多晶硅栅极顶部形成倒U形的第一金属硅化物层,便于减小金属硅化物的电阻,还在暴露的第一源/漏区和第二源/漏区表面形成第二金属硅化物层,其与沟道区距离较远,发生击穿的风险较低,另外,第一矮侧墙和/或第二矮侧墙有助于降低多晶硅栅极源漏插塞之间的寄生电容。
天眼查资料显示,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司,成立于2020年,位于青岛市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业,专利信息125条,此外企业还拥有行政许可4个。
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来源:市场资讯