南亚科技申请制造半导体元件的方法专利，可以更有效地形成具有较低电阻率的半导体元件
创始人
2026-03-19 23:40:01
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“制造半导体元件的方法”的专利，公开号CN121693120A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，一种制造半导体元件的方法包括在第一温度下形成第一金属材料衬于沟槽。沟槽位于半导体基材中。方法还包括在第二温度下形成第二金属材料衬于第一金属材料。第二温度高于第一温度。方法还包括对第一金属材料与第二金属材料执行退火工艺。可以更有效地形成具有较低电阻率的半导体元件。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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