昇维旭申请半导体装置及其制造方法专利，提升半导体装置性能_半导体

昇维旭申请半导体装置及其制造方法专利，提升半导体装置性能

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2026-03-18 20:31:50

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国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“一种半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121692644A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体装置及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有位线材料层以及覆盖位线材料层的隔离材料层；形成硬掩模层，以覆盖隔离材料层；刻蚀硬掩模层、隔离材料层和位线材料层，以形成沿第一方向延伸的多个位线以及位于位线外侧的多个沟槽，多个位线在第二方向上间隔排布；形成第一介质层，第一介质层覆盖硬掩模层并填充沟槽；对第一介质层进行第一化学机械研磨工艺，停止于硬掩模层；回刻蚀以移除第一介质层的部分厚度，移除硬掩模层；在位线上方形成晶体管，晶体管包括栅极、沟道层以及位于栅极和沟道层之间的栅极绝缘层，栅极形成于隔离材料层上，沟道层与栅极相对的表面具有垂直于衬底的分量，沟道层的源极端连接位线。

天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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