北方集成电路技术创新中心申请半导体结构的形成方法专利，提升器件的性能_半导体

北方集成电路技术创新中心申请半导体结构的形成方法专利，提升器件的性能

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2026-03-17 16:05:53

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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121665663A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括用于形成栅极结构的栅极区、位于栅极区一侧的第一区域和位于栅极区另一侧的第二区域；在基底上形成覆盖第二区域的辅助层、以及位于辅助层的侧壁上且覆盖栅极区的栅极结构，辅助层和栅极结构暴露出第一区域；在辅助层暴露出的栅极结构的侧壁上形成第一侧墙；在栅极结构、辅助层以及第一侧墙暴露出的第一区域内形成第一源漏区；去除辅助层，暴露出第二区域；在栅极结构与第二区域相邻一侧的侧壁上形成第二侧墙，第二侧墙的厚度与第一侧墙的厚度不同；在第二侧墙暴露出的第二区域内形成第二源漏区，第二源漏区与第一源漏区的掺杂类型不同。本发明实施例提升器件的性能。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息561条，此外企业还拥有行政许可125个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法栅极投资器件导体集成电路结构专利区域漏区辅助层栅极区

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