山东华芯半导体申请一种基于忆阻器的电荷共享存算单元及实现方法专利，规避了由于电流计算引起的IR drop和编程阻值波动引入的计算误差_半导体

山东华芯半导体申请一种基于忆阻器的电荷共享存算单元及实现方法专利，规避了由于电流计算引起的IR drop和编程阻值波动引入的计算误差

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2026-03-14 23:35:08

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国家知识产权局信息显示，山东华芯半导体有限公司申请一项名为“一种基于忆阻器的电荷共享存算单元及实现方法”的专利，公开号CN121662121A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及集成电路设计领域，具体是一种基于忆阻器的电荷共享存算单元及实现方法。存算单元包括2个NMOS管M1、M2，1个PMOS管M3，2个忆阻器R1、R2和1个电容C1。忆阻器R1、R2的底电极相连并与M1的漏极相连，NMOS管M2的漏极和PMOS管M3的漏极相连，M2的源极接地，M3的源极接乘加计算的输入IN。电容一端与M2，M3的漏极相连，另外一端VMAC则为此存算单元的输出端。本发明通过电荷域电荷再分配的方式规避了由于电流计算引起的IR drop和编程阻值波动引入的计算误差，同时提升了存算电路的阵列计算并行度，整体存算电路的能效也会有明显提升。

天眼查资料显示，山东华芯半导体有限公司，成立于2008年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华芯半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目200次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息445条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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